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フラワーパターン：離型性の良い加工面

フラワーパターンは半導体パッケージや磨きの困難な狭小リブ加工に最適な加工条件です。

均一なRz(Ra)値かつRSm値が大きい表面を追求しました。
成型時の離型性・メンテナンス性が良くなり生産性の向上につながります。

リブ形状の離型性を向上

新制御と電極の低消耗化により均一な加工面を実現

薄リブ加工事例

ワーク材質：STAVAX
電極：グラファイト（ISO-63）
リブの長さ：25mm
リブの幅：1mm
減寸量：0.15mm/片側
加工深さ：30mm

加工面比較事例

左：標準加工条件
右：フラワーパターン

ワーク材質：ASP23（VANADIS23）
放電面積：□20mm
表面粗さ：Rz10μm（Ra1.5μm）

従来放電加工面 + HCr平均7N
フラワーパターン加工面 + HCr平均7N

A：貼付力（N）
B：連続ショット数（回数）

成型樹脂：ハロゲンフリーエポキシ樹脂A
成形機：エムテックスマツムラ製ATOM-F1
成形回数：1000回の連続成形