decorative wave

フラワーパターン:離型性の良い加工面

フラワーパターンは半導体パッケージや磨きの困難な狭小リブ加工に最適な加工条件です。

均一なRz(Ra)値かつRSm値が大きい表面を追求しました。
成型時の離型性・メンテナンス性が良くなり生産性の向上につながります。

リブ形状の離型性を向上

新制御と電極の低消耗化により均一な加工面を実現

薄リブ加工事例

ワーク材質:STAVAX
電極:グラファイト(ISO-63)
リブの長さ:25mm
リブの幅:1mm
減寸量:0.15mm/片側
加工深さ:30mm
リブ形状の離型性を向上

離型性の良い加工面

加工面比較事例

左:標準加工条件
右:フラワーパターン

ワーク材質:ASP23(VANADIS23)
放電面積:□20mm
表面粗さ:Rz10μm(Ra1.5μm)
離型性の良い加工面

貼付力35%減


従来放電加工面 + HCr平均7N
フラワーパターン加工面 + HCr平均7N

A:貼付力(N)
B:連続ショット数(回数)


成型樹脂:ハロゲンフリーエポキシ樹脂A
成形機:エムテックスマツムラ製ATOM-F1
成形回数:1000回の連続成形
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